エルピーダ:最先端30ナノ台前半DRAMを12月から量産

エルピーダメモリは29日、回路線 幅が世界最先端となる30ナノ(ナノは10億分の1)メートルレベルの DRAMを12月から量産すると発表した。

同社広報担当の斎藤英樹氏によると、新製品の生産コストは昨年暮 れに量産開始した40ナノ製品を3割程度下回り、今後は市況動向を見 ながら数年後をめどに同社DRAM生産量の約7割を30ナノ台とする 方針。斎藤氏は設備投資についてはコメントを避けた。