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エルピーダ:UMC、PTIと28ナノDRAMで共同開発

DRAMメーカー世界3位のエル ピーダメモリは21日、台湾の半導体メーカーのUMC(聯華電子)、 パワーテック・テクノロジー(PTI)と3社で、回路線幅28ナノ(ナ ノは10億分の1)メートル世代の半導体製品を視野に入れた技術開発 と事業協力を共同で行うことで合意したと発表した。

UMCは、システムLSI(大規模集積回路)の受託製造を請け 負うファウンドリー。PTIは半導体のパッケージ、組み立て・検査 を手掛ける。エルピーダは、複数のDRAMを縦に何層にも重ねて銅 配線で結ぶ「シリコン貫通電極(TSV)」と呼ばれる技術を開発済み で、これをもとに3社がDRAMとシステムLSIを1チップ化した 先端製品を共同開発する。

エルピーダ広報の坪井一呂志氏によると、3社は2012年度をめど に開発完了し、量産を始める考え。通常、データを一時保存するメモ リーのDRAMと、演算処理や制御を行うロジック(論理)回路のシ ステムLSIは別々の半導体製品として開発・製造されることが多く、 配線などで結びデータをやり取りする。

しかし、DRAMとシステムLSIを1チップ化すれば、データ の処理スピードが高まる上、電流も漏れにくくなる利点がある。3社 は、この1チップ化した先端製品の需要がデジタル家電や携帯電話機 器など向けに拡大することを見込んで提携することにした。

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