東芝とNECエレ:32ナノ世代半導体の技術開発で合意-共同生産も

東芝とNECエレクトロニクスは27日、シ ステムLSI(大規模集積回路)事業で、回路線幅が32ナノ(ナノは10億分の 1)メートル世代のプロセス技術を共同開発することで合意したと発表した。共同 生産も検討し、2008年中に具体的な方針を決定する。実現すれば、国内大手半導 体メーカー同士による先端半導体分野の共同生産は初のケースとなる。

両社は基幹プロセスを共同開発し、ゲーム機やデジタル家電向けなど高性能 化、小型化が進むシステムLSIの生産に適用する計画だ。最先端半導体の技術開 発費用を分担するとともに、開発期間の短期化や競争力の強化を狙う。契約期間は 約2年間。

今回の合意は、両社が05年11月に提携した45ナノ世代の技術開発に続く第 2弾となる。共同開発の拠点は「東芝アドバンストマイクロエレクトロニクスセン ター」(横浜市)を、引き続き活用する。

東芝の27日終値は前日比4円(0.5%)高の860円、NECエレクトロニクス は同120円(3.8%)高の3040円。

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