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東芝:メモリー工場増産投資に総額6000億円、世界最大級の拠点に(7)

東芝は4日、NAND型フラッシュメモリー (電気的に一括消却・再書き込み可能なメモリー)の生産拠点である四日市工場 (三重県四日市市)の第4棟の建設で、米サンディスクと分担して2007年3月期か らの2年間に約3000億円の投資を実施すると発表した。量産投資を加速することで、 最大のライバル韓国サムスン電子や、米マイクロン・インテル連合に対抗する。

四日市工場の第4棟は8月に着工、07年7月に完成の予定。07年10-12月期 に月産2500枚で量産をスタートし、1年後の08年10-12月期には月産6万7500 枚まで能力を拡大する。これにより、現在は25%の世界シェアを、サンディスクと の合算で40%に高めたい考え。

その後も需要に応じて増強し、第4棟の最大能力は15万枚に達する公算。東芝 とサンディスクの総投資額は6000億円に上る見込みだ。既存設備も合わせ、同工場 は世界最大のNAND型フラッシュメモリーの生産拠点となる見通し。

年率2.5倍の成長市場

同日の新棟起工式後に会見した斎藤昇三セミコンダクター社副社長は「フラッ シュメモリーの市場は、05-08年で年率2.5倍の急成長を遂げる」と強調。米アッ プルコンピューターの「iPod」など携帯音楽プレーヤー、デジタルカメラに続 き、携帯電話の記録媒体としても今後の需要増が期待されることが背景にあると説 明した。

06年のNAND型フラッシュメモリーの世界市場は、前年比29%増の138億 2600万ドルに成長する見通し。ハードディスク装置(HDD)の代替記録媒体とし てNAND型フラッシュメモリーを搭載した小型ノートパソコンも発売されるなど、 新たな需要のけん引役も現れた。

これに対し、コンピューターの主要メモリーであるDRAM(記憶保持動作が 必要な随時書き込み読み出しメモリー)の市場規模は同6.2%増の263億5200万ド ル。フラッシュメモリーはDRAMの半分強にまで育っている。

第4棟は56ナノから

第4棟は5階建てで、延床面積は18万1000平方メートルと第3棟の1.4倍。 うちクリーンルームの面積は4万8800平方メートル。地震による揺れを3分の1程 度に抑制できる免震構造を採用するとともに、落雷の際に生じる瞬間的な電圧低下 にも対応可能な新型の電力貯蔵装置を備える。

半導体の加工線幅は56ナノ(ナノは10億分の1)メートルのプロセス技術に よる生産から開始し、順次、40ナノ、30ナノ世代の微細化技術を導入する予定。

06年3月期は、年間の設備投資計画3540億円のうち約7割をメモリー関連の投 資に充てる。このなかで05年春に量産が始まった第3棟には350億円を追加投資し、 07年9月までに最大生産能力となる月産11万枚体制とする。第3棟に続き、第4棟 も直径が300ミリメートルのウエハーを投入する生産ラインで量産体制を敷く。

米ハイテク調査会社アイサプライによると、06年1-3月期の東芝の世界シェ アは25%と、05年10-12月期に比べ6%拡大。一方、最大のシェアをもつサムス ンは、東芝などの猛攻を受けて前四半期の51%から49%に低下した。

ターゲットは世界シェア40%

会見に同席した室町正志専務は、新棟の能力が月産6万7500枚となる08年10-12月には「東芝とサンディスク合計の世界シェア40%を達成したい」と述べた。同 専務は「需要に応じて08年度以降も能力を拡大させる」とし、四日市以外での新工 場建設を検討中と説明した。詳細は今後詰める。

東芝は5月に発表した09年3月期までの新中期計画で、半導体事業に1兆200 億円を投じる方針を決定。初年度となる07年3月期の半導体事業の売上高は前期比 21%増の1兆2500億円、営業利益は同23%増の1650億円となる見通し。需要拡大 と各社の増産に伴い、平均単価は年率40%程度の下落を予想するが、半導体加工技 術の微細化と、1つの素子に多くの情報を記録する「多値」の技術を活かして先行 者利益の最大化を狙う。

東芝の株価終値は前日比10円(1.4%)安の727円。

--共同取材 PAVEL ALPEYEV  Editor:Murotani(kzt)

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