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東芝:フラッシュメモリ新棟に2年で3000億円投入、来秋量産開始

半導体事業が好調な東芝は4日、NAND型フ ラッシュメモリー(電気的に一括消却・再書き込み可能なメモリー)の生産拠点で ある四日市工場(三重県四日市市)で第4棟の建設で、2007年3月期からの2年間 で約3000億円の投資を実施すると発表した。量産投資を加速し世界シェアを拡大 することで、最大のライバル韓国サムスン電子や、後発の米マイクロン・インテル 連合に対抗する。

四日市工場の第4棟は8月に着工、07年10-12月期に月産2500枚で量産を スタートし、1年後の08年10-12月期には月産6万7500枚まで能力を拡大する。 半導体の加工線幅は56ナノ(ナノは10億分の1)メートルのプロセス技術による 生産を開始し、順次、40ナノ、30ナノ世代の微細化技術を導入する予定。

東芝の株価は前日比9円(1.2%)安の728円(午後1時40分現在)。

--共同取材 PAVEL ALPEYEV  Editor:Murotani

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