東芝:半導体メモリー増産で追加投資、05年度は2890億円で最大(2)

東芝は9日、主力の半導体事業でNAND型フ ラッシュメモリー(電気的に一括消却・再書き込み可能なメモリー)の増産を加速 するため、2005年度の設備投資計画を増額すると発表した。従来計画では2250億円 だったが630億円上積みし、約2890億円とする。単年度の半導体事業関連の投資額 としては、04年度(2030億円)に続き、過去最大となる。

追加投資は、NAND型フラッシュメモリーの拠点である四日市工場(三重県 四日市市)における生産ラインの増強に主に充当する。NAND型フラッシュメモ リーの旺盛な需要拡大に対応するため、積極投資を加速させる。

05年度の設備投資計画は、期初段階で1510億円だった。これを、05年10月末 時点で2250億円に増額することを決めたが、今回、これをさらに2890億円に引き 上げる。これにより、生産能力は06年度下期の段階で7万枚に拡張される。従来は 06年度下期に月産4万8750枚とする計画だった。

同社の西田厚聰社長は8日午後の会見で、半導体事業について「ますます投資 を加速させる必要がある」と強調、増産に意欲を示した。NAND型フラッシュメ モリーの市場では、世界シェアの約60%を握る韓国のサムスン電子が首位。東芝- 米サンディスク連合は約40%のシェアで2位につけている。東芝は、同市場での生 き残りと覇権争いを賭けて大型投資を継続、サムスンを追撃したい考え。

05年度の半導体事業の収益は、売上高が前期比11%増の1兆400億円、営業利 益は同57%増の1300億円となる見通し。

東芝の株価は前日末39円(5.5%)高の755円(午後1時38分現在)。

--共同取材 PAVEL ALPEYEV  Editors : Hinoki(tkm)

テオ チャンウェイ Teo Chian Wei (81)(3)3201-3623 cwteo@bloomberg.net

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