東芝:半導体メモリー300ミリ工場前倒し着工へ-米サンディスクと

東芝は3日、半導体メモリーの生産拠点で ある四日市工場(三重県四日市市)に2004年度上期から直径300ミリの大口 径ウエハーに対応したNAND型フラッシュメモリー(電気的に一括消去・再 書き込み可能な不揮発性メモリー)の生産ラインを建設すると発表した。需要 がひっ迫しているため稼働時期を当初計画の2006年度から05年度下期に前倒 しする。

東芝が基本技術を開発したNAND型フラッシュメモリーは、デジタルカ メラや携帯電話向けに需要が急拡大しており、現在供給が追いつかない状態。 しかし量産では韓国サムスン電子が先行し、現在5割以上のシェアを保有。東 芝は早期に量産工場を立ち上げ、サムスン追撃を図る。

新ラインの生産能力は300ミリウエハー換算で月産2万5000枚と当初の 2万枚から引き上げた。総投資額は2000億円と当初計画の1500億円を上回る。 東芝との合弁企業を通して東芝からNAND型フラッシュのOEM(相手先ブ ランドによる生産)供給を受けている米サンディスクも出資する。サンディス クの出資比率については、未定という。

量産は月1万枚規模で始める。新工場は加工線幅70ナノ(ナノは10億分 の1)メートルの生産プロセスで稼働を開始し、将来は55ナノ技術を導入す る。微細化により、半導体チップ1個に搭載できるトランジスターの数を増や すことができる。現在、最も微細な加工技術は90ナノ。

東芝の古口榮男・上席常務は同日の発表文で「(NAND型フラッシュメ モリーの)市場規模は2003年から06年までの間に2倍に成長する」との見通 しを示した。米調査会社iサプリによると、同製品の市場規模は第3四半期 (7-9月)に前期比28%増の30億5000万ドル(約3310億円)に拡大した。

当面の需要拡大に対応するため東芝は11月に、システムLSI(大規模 集積回路)の生産拠点である大分工場(大分県大分市)に120億円を投資して NAND型フラッシュの生産ラインを設立すると発表した。同ラインは04年 度後半に稼働予定で、生産能力は直径200ミリウエハーで月産3250枚。

東芝の株価終値は前日比5円(1.2%)安の409円。

--*東京 竹本 能文    Yoshifumi Takemoto (813)3201-8374

鈴木 恭子 Kyoko Suzuki(813)3201-8868 ytakemoto@bloomberg.net Editor:Okimoto/Ozawa

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