米IBM:トランジスタの高速化に成功-半導体の性能向上へ

コンピュ ーターメーカー大手の米IBMは25日、シリコンを基板に使ったトランジスタ の世界最速品を開発したと発表した。このトランジスタを集積したMPU(超 小型演算処理装置)の動作周波数は他社製品を少なくとも2倍上回り、また消 費電力は従来品の半分にとどまる見通しだ。向こう2年以内の実用化を目指す。

トランジスタの応答速度は基板の厚さと材質に大きく影響される。IBM は89年に、シリコンの基板にゲルマニウムを混入することで電子の移動度を高 めることに成功した。今回の改良では、基板の一段の薄型化により電子の移動 距離が短縮され、応答速度が向上した。IBMの通信研究開発センターのメイ ヤーソン氏によると、新しいトランジスタの厚さは、業界標準の5分の1から 10分の1に圧縮された。

現在市場に出回っているMPUの動作周波数は10ギガヘルツだが、近く 40ギガヘルツ品が導入される見通し。メイヤーソン氏によると、IBMのトラ ンジスタを集積したMPUの動作周波数は80-100ギガヘルツに大幅改善され る見通しだ。

アプライド・マイクロ・サーキッツやシエラ・モノリシックなどが、この トランジスタを集積したMPUの開発を進めている。MPUを小型化、高性能 化するための技術開発競争は加熱している。

ボストン Paul Horvitz ニューヨーク 須藤 安見子 Amiko Sudo TY --* (212)893-3701 asudo@bloomberg.net

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